Número de pieza del fabricante | GBJ601 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ601 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ601 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ601-FT |
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
KBP01G
Diodes Incorporated
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQ208I
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
Intel
EPF10K200SBC600-2
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC4013E-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C4N
Intel