Número de pieza del fabricante | GBJ601 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ601 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ601 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ601-FT |
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
KBP01G
Diodes Incorporated
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation