Número de pieza del fabricante | B10S-G |
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Número de parte futuro | FT-B10S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B10S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-269AA, 4-BESOP |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B10S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B10S-G-FT |
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
GBJ601
Diodes Incorporated
GBJ602
Diodes Incorporated
GBJ604
Diodes Incorporated
GBJ606
Diodes Incorporated
GBJ610
Diodes Incorporated
GBJ802
Diodes Incorporated
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel