casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25160B-MAPDGV-T
Número de pieza del fabricante | AT25160B-MAPDGV-T |
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Número de parte futuro | FT-AT25160B-MAPDGV-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AT25160B-MAPDGV-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25160B-MAPDGV-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25160B-MAPDGV-T-FT |
AS4C32M16MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M32MD3-15BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel