casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2016-55ZIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2016-55ZIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2016-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55ZIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55ZIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2016-55ZIN-FT |
AS4C64M16D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3L-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel