casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3LB-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3LB-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3LB-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3LB-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3LB-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3LB-12BINTR-FT |
AT49F002T-90PI
Microchip Technology
AT49F040-12PC
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AT49F512-70PC
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EP2C5T144C7
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XCV600-6FG676C
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EP4CGX110CF23I7N
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10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
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LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel