casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M16D3B-12BANTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M16D3B-12BANTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M16D3B-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3B-12BANTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13.5x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BANTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M16D3B-12BANTR-FT |
AT49F040-12PC
Microchip Technology
AT49F040-12PI
Microchip Technology
AT49F040-70PC
Microchip Technology
AT49F040-70PI
Microchip Technology
AT49F040-90PC
Microchip Technology
AT49F040-90PI
Microchip Technology
AT49F040A-55PI
Microchip Technology
AT49F040A-70PI
Microchip Technology
AT49F512-70PC
Microchip Technology
AT49F512-70PI
Microchip Technology
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel