casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3L-12BAN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3L-12BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3L-12BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M16D3L-12BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-BGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3L-12BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3L-12BAN-FT |
AT49F002T-70PC
Microchip Technology
AT49F002T-70PI
Microchip Technology
AT49F002T-90PC
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AT49F040-12PC
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AT49F040-70PI
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AT49F040-90PC
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AT49F040-90PI
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XC4020XL-1HT144C
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EX64-TQ100A
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M2GL025T-1FGG484I
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A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
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10AX090U4F45I3LG
Intel