casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C4M16SA-6BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C4M16SA-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C4M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C4M16SA-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M16SA-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C4M16SA-6BIN-FT |
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel