casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1616-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C1616-55BINTR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS6C1616-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1616-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1616-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1616-55BINTR-FT |
AT26DF321-SU
Microchip Technology
AT45D011-SC
Microchip Technology
AT45D011-SI
Microchip Technology
AT45DB011-SC
Microchip Technology
AT45DB011-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
Microchip Technology
AT45DB021B-SI
Microchip Technology
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel