casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1016-55BIN
Número de pieza del fabricante | AS6C1016-55BIN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS6C1016-55BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1016-55BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1016-55BIN-FT |
AT25HP256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT26DF081A-MU
Microchip Technology
AT26DF081A-SU
Microchip Technology
AT26DF161-SU
Microchip Technology
AT26DF161A-SU
Microchip Technology
AT26DF321-SU
Microchip Technology
AT45D011-SC
Microchip Technology
AT45D011-SI
Microchip Technology
AT45DB011-SC
Microchip Technology
AT45DB011-SI
Microchip Technology
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel