casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1016-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C1016-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C1016-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1016-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1016-55BINTR-FT |
AT26DF081A-MU
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AT26DF081A-SU
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AT45DB011-SI
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AT45DB011B-SC
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XC2S150-5FGG456I
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XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
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5SGXEB6R2F40C2L
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EP4CGX15BF14C7N
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XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel