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Número de pieza del fabricante | AS4C4M16SA-6BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C4M16SA-6BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C4M16SA-6BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M16SA-6BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C4M16SA-6BAN-FT |
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel