casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2016-55BIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2016-55BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2016-55BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2016-55BIN-FT |
AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
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AT45DB011B-SU
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AT45DB021B-SC
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AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
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AT45DB021D-SH-T
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AT45DB041B-SC
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AT45DB041B-SC-2.5
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XC2S15-5TQG144I
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XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
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XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
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EPF8820AQC160-3
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