casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2016-55BIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2016-55BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2016-55BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2016-55BIN-FT |
AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
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AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
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AT45DB021D-SH-T
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AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
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ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
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A42MX24-2PL84I
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M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel