casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16S-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16S-6BINTR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS4C16M16S-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16S-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16S-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16S-6BINTR-FT |
AS6C3216A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8008-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel