casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS7C316096B-10BIN
Número de pieza del fabricante | AS7C316096B-10BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS7C316096B-10BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C316096B-10BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C316096B-10BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS7C316096B-10BIN-FT |
AT45DB041B-SI-2.5
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AT45DB041B-SU
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AT45DB161D-SU
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AT45DB321D-SU-2.5
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AT93C56AW-10SU-2.7
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AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
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MT41J128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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