casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C2M32D1-5TIN
Número de pieza del fabricante | AS4C2M32D1-5TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C2M32D1-5TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C2M32D1-5TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (2M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32D1-5TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C2M32D1-5TIN-FT |
AT24C1024W-10SU-2.7
Microchip Technology
AT24C1024W-10SU-2.7-T
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AT24C128W-10SC
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AT24C128W-10SC-1.8
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AT24C128W-10SC-2.7
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AT24C128W-10SI
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AT24C128W-10SI-1.8
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AT24C128W-10SI-2.7
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AT24C128W-10SU-1.8
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AT24C128W-10SU-2.7
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LCMXO2280E-3TN144C
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10M08SAU169I7G
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XC2VP50-5FF1152I
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XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
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LFE2-70SE-5FN672I
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