casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS7C316096C-10BIN
Número de pieza del fabricante | AS7C316096C-10BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS7C316096C-10BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C316096C-10BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C316096C-10BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS7C316096C-10BIN-FT |
AT45DB161D-SU
Microchip Technology
AT45DB321D-SU-2.5
Microchip Technology
AT93C56AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel