casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C6416-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C6416-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C6416-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C6416-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C6416-55BINTR-FT |
AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
AT45DB041B-SI-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SU
Microchip Technology
AT45DB161D-SU
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AT45DB321D-SU-2.5
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AT93C56AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
XC4013XL-2HT144C
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LFXP6E-4TN144C
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A1020B-PQG100C
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XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation