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APTM10HM09FT3G Image

Microsemi Corporation APTM10HM09FT3G

Número de pieza de MFG
APTM10HM09FT3G
Cantidad disponible
75610 Piezas
Precio de referencia
USD 65.31384
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM10HM09FT3G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9875pF @ 25V
Potencia - max 390W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja SP3
Paquete del dispositivo del proveedor SP3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10HM09FT3G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTM10HM09FT3G-FT

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