casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT28M120L
Número de pieza del fabricante | APT28M120L |
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Número de parte futuro | FT-APT28M120L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT28M120L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9670pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 [L] |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT28M120L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT28M120L-FT |
BSS138BKVL
Nexperia USA Inc.
BSS84,215
Nexperia USA Inc.
BST82,215
Nexperia USA Inc.
BST82,235
Nexperia USA Inc.
NX138BKR
Nexperia USA Inc.
NX7002AKAR
Nexperia USA Inc.
PMBF170,235
Nexperia USA Inc.
PMV100ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV100XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV120ENEAR
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.