casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV100XPEAR
Número de pieza del fabricante | PMV100XPEAR |
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Número de parte futuro | FT-PMV100XPEAR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV100XPEAR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 386pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 463mW (Ta), 1.9W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV100XPEAR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMV100XPEAR-FT |
PSMN4R4-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel