casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV120ENEAR
Número de pieza del fabricante | PMV120ENEAR |
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Número de parte futuro | FT-PMV120ENEAR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMV120ENEAR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 275pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 513mW (Ta), 6.4W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV120ENEAR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMV120ENEAR-FT |
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel