casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NX7002AKAR
Número de pieza del fabricante | NX7002AKAR |
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Número de parte futuro | FT-NX7002AKAR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NX7002AKAR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.43nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 17pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 265mW (Ta), 1.33W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX7002AKAR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NX7002AKAR-FT |
PSMN2R0-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R7-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R4-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel