casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AON6160
Número de pieza del fabricante | AON6160 |
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Número de parte futuro | FT-AON6160 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AlphaSGT™ |
AON6160 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.58 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7790pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 215W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerSMD, Flat Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6160 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AON6160-FT |
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
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