casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C3M0120100K
Número de pieza del fabricante | C3M0120100K |
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Número de parte futuro | FT-C3M0120100K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0120100K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-4L |
Paquete / Caja | TO-247-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0120100K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3M0120100K-FT |
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Microsemi Corporation
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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