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Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTA

Name: ZXMN6A08GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A08GQTA
Price: 0.382592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (511 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXMN6A08GQTA

Cantidad disponible: 29510 Piezas

Precio de referencia: USD 0.382592

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60VSOT223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXMN6A08GQTA.pdf

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ZXMN6A08GQTA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXMN6A08GQTA
Número de parte futuro	FT-ZXMN6A08GQTA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
ZXMN6A08GQTA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	459pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08GQTA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXMN6A08GQTA-FT

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