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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7

Name: DMN10H099SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-7
Price: 0.236944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (453 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN10H099SFG-7

Cantidad disponible: 28300 Piezas

Precio de referencia: USD 0.236944

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN10H099SFG-7.pdf

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Número de pieza del fabricante	DMN10H099SFG-7
Número de parte futuro	FT-DMN10H099SFG-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN10H099SFG-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1172pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	980mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN10H099SFG-7-FT

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