casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVN4210GTA
Número de pieza del fabricante | ZVN4210GTA |
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Número de parte futuro | FT-ZVN4210GTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN4210GTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 800mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4210GTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVN4210GTA-FT |
DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
DMG7401SFG-13
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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