casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CMF10120D
Número de pieza del fabricante | CMF10120D |
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Número de parte futuro | FT-CMF10120D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ |
CMF10120D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 928pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 134W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 135°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMF10120D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CMF10120D-FT |
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