casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / E3M0280090D
Número de pieza del fabricante | E3M0280090D |
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Número de parte futuro | FT-E3M0280090D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, E |
E3M0280090D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 54W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3M0280090D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3M0280090D-FT |
ZXMN10A11GTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel