casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ALD210808ASCL
Número de pieza del fabricante | ALD210808ASCL |
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Número de parte futuro | FT-ALD210808ASCL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD210808ASCL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 10.6V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD210808ASCL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ALD210808ASCL-FT |
SI4966DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4966DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4967DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4967DY-T1-GE3
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SI4972DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4972DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4973DY-T1-E3
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SI4973DY-T1-GE3
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SI4974DY-T1-E3
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SI4992EY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC7S100-1FGGA676I
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XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
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LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation