casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4966DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4966DY-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4966DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4966DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4966DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4966DY-T1-GE3-FT |
SI4214DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4214DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4226DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4226DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4230DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4276DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4330DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4330DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel