casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4967DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4967DY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4967DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4967DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4967DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4967DY-T1-GE3-FT |
SI4226DY-T1-E3
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SI4226DY-T1-GE3
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XA6SLX45-2FGG484Q
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGTMC7K3F40I3N
Intel
10CX105YU484E5G
Intel
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation