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Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3

Name: SI4966DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4966DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.7 (279 reviews)

Número de pieza de MFG: SI4966DY-T1-E3

Cantidad disponible: 18740 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI4966DY-T1-E3.pdf

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SI4966DY-T1-E3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SI4966DY-T1-E3
Número de parte futuro	FT-SI4966DY-T1-E3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI4966DY-T1-E3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Potencia - max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4966DY-T1-E3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI4966DY-T1-E3-FT

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