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A2G35S160-01SR3 Image

NXP USA Inc. A2G35S160-01SR3

Número de pieza de MFG
A2G35S160-01SR3
Cantidad disponible
53200 Piezas
Precio de referencia
USD 93.096064
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
A2G35S160-01SR3.pdf
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Número de pieza del fabricante A2G35S160-01SR3
Número de parte futuro FT-A2G35S160-01SR3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
A2G35S160-01SR3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor LDMOS
Frecuencia 3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganancia 15.7dB
Voltaje - prueba 48V
Valoración actual -
Figura de ruido -
Corriente - Prueba 190mA
Salida de potencia 51dBm
Tensión nominal 125V
Paquete / Caja NI-400S-2S
Paquete del dispositivo del proveedor NI-400S-2S
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G35S160-01SR3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto A2G35S160-01SR3-FT

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