casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / A2G35S160-01SR3
Número de pieza del fabricante | A2G35S160-01SR3 |
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Número de parte futuro | FT-A2G35S160-01SR3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A2G35S160-01SR3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Ganancia | 15.7dB |
Voltaje - prueba | 48V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 190mA |
Salida de potencia | 51dBm |
Tensión nominal | 125V |
Paquete / Caja | NI-400S-2S |
Paquete del dispositivo del proveedor | NI-400S-2S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2G35S160-01SR3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | A2G35S160-01SR3-FT |
PD85025TR-E
STMicroelectronics
PD20010-E
STMicroelectronics
PD55035-E
STMicroelectronics
PD85035-E
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PD20015-E
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LET9045
STMicroelectronics
PD57070-E
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PD20010TR-E
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PD54008TR-E
STMicroelectronics
PD55008TR-E
STMicroelectronics
EP2C5T144C7
Intel
A1415A-1PQG100M
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EPF6010ATC100-2N
Intel
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
LCMXO256C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8N
Intel