casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010TR-E
Número de pieza del fabricante | PD20010TR-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010TR-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
XC7A35T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX16A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB3D4F35C5N
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel