casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010TR-E
Número de pieza del fabricante | PD20010TR-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010TR-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022C4U19I3LG
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC3090L-8PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel