casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010-E
Número de pieza del fabricante | PD20010-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010-E-FT |
PTVA120251EA-V1
Cree/Wolfspeed
PTVA120251EA-V1-R250
Cree/Wolfspeed
CE3512K2-C1
CEL
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
EP20K60ETC144-2X
Intel
M1A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C4N
Intel
XC7VX690T-2FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG1759I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation