casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010-E
Número de pieza del fabricante | PD20010-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PD20010-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010-E-FT |
PTVA120251EA-V1
Cree/Wolfspeed
PTVA120251EA-V1-R250
Cree/Wolfspeed
CE3512K2-C1
CEL
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144M
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC4010-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC6VLX195T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation