casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010-E
Número de pieza del fabricante | PD20010-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PD20010-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010-E-FT |
PTVA120251EA-V1
Cree/Wolfspeed
PTVA120251EA-V1-R250
Cree/Wolfspeed
CE3512K2-C1
CEL
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1XN
Intel
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
5SGXMA7N3F40I3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2N
Intel
EP4SGX530NF45I3
Intel
XC7K420T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC20E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation