casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20015-E
Número de pieza del fabricante | PD20015-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PD20015-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20015-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 7A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 350mA |
Salida de potencia | 15W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20015-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20015-E-FT |
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
EP4CE15F23C6
Intel
EP1S10F484C5
Intel
EP4SE360H29I3N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC7K325T-1FF900I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6F23I7N
Intel
10AX115N3F45E2LG
Intel
EP4SGX530HH35I4
Intel