casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416S15YG
Número de pieza del fabricante | 71V416S15YG |
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Número de parte futuro | FT-71V416S15YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S15YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S15YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416S15YG-FT |
71V416L10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel