casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416L10BE
Número de pieza del fabricante | 71V416L10BE |
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Número de parte futuro | FT-71V416L10BE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L10BE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10BE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416L10BE-FT |
7026L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel