casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416L12BEI
Número de pieza del fabricante | 71V416L12BEI |
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Número de parte futuro | FT-71V416L12BEI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L12BEI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L12BEI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416L12BEI-FT |
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel