casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416L10BEG
Número de pieza del fabricante | 71V416L10BEG |
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Número de parte futuro | FT-71V416L10BEG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L10BEG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10BEG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416L10BEG-FT |
7026L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel