casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 55GN01FA-TL-H
Número de pieza del fabricante | 55GN01FA-TL-H |
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Número de parte futuro | FT-55GN01FA-TL-H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
55GN01FA-TL-H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 10V |
Frecuencia - Transición | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Ganancia | 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz |
Potencia - max | 250mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 70mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-81 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-SSFP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01FA-TL-H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 55GN01FA-TL-H-FT |
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-O(TE85L,F)
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HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S20P(TE12L,F)
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MT3S113TU,LF
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