casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / HN3C10FUTE85LF
Número de pieza del fabricante | HN3C10FUTE85LF |
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Número de parte futuro | FT-HN3C10FUTE85LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN3C10FUTE85LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 11.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 80mA |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | US6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN3C10FUTE85LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HN3C10FUTE85LF-FT |
2SC4226-T1-A
CEL
2SC4227-A
CEL
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
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5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel