casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BF799WE6327BTSA1
Número de pieza del fabricante | BF799WE6327BTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BF799WE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BF799WE6327BTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 20V |
Frecuencia - Transición | 800MHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
Ganancia | - |
Potencia - max | 280mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF799WE6327BTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BF799WE6327BTSA1-FT |
BF771E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR35APE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR92PE6327HTSA1
Infineon Technologies
2SA1977-A
CEL
2SA1977-T1B-A
CEL
2SA1978-A
CEL
2SA1978-T1B-A
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2SC24040CL
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2SC24040DL
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EX64-TQG100A
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XA2S200E-6FT256I
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XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
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5SGXEA7K3F35C4N
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XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel