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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F)

Número de pieza de MFG
MT3S111P(TE12L,F)
Cantidad disponible
27110 Piezas
Precio de referencia
USD 0.306
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-MT3S111P(TE12L,F)
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT3S111P(TE12L,F) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 6V
Frecuencia - Transición 8GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1GHz
Ganancia 10.5dB
Potencia - max 1W
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 100mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja TO-243AA
Paquete del dispositivo del proveedor PW-MINI
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111P(TE12L,F) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT3S111P(TE12L,F)-FT

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