casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MT3S111P(TE12L,F)
Número de pieza del fabricante | MT3S111P(TE12L,F) |
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Número de parte futuro | FT-MT3S111P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT3S111P(TE12L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 6V |
Frecuencia - Transición | 8GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
Ganancia | 10.5dB |
Potencia - max | 1W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PW-MINI |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S111P(TE12L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT3S111P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-A
CEL
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8
Intel
10M40DAF484I6G
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5AGXBA1D4F27I5
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5SGXMABK2H40C2N
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LFEC20E-3FN484I
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LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-3
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EP1S40F1020C6N
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EP1SGX25FF1020C5
Intel