casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
Número de pieza del fabricante | MT3S113P(TE12L,F) |
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Número de parte futuro | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT3S113P(TE12L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 5.3V |
Frecuencia - Transición | 7.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Ganancia | 10.5dB |
Potencia - max | 1.6W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PW-MINI |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
BFR 92W E6327
Infineon Technologies
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25CF672C6N
Intel
5SGXEA5K2F40I3N
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5SGXEB5R3F43I3L
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40B956C5
Intel