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ON Semiconductor 2SJ661-1E

Número de pieza de MFG
2SJ661-1E
Cantidad disponible
19420 Piezas
Precio de referencia
USD 1.888
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 60V 38A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2SJ661-1E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 38A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4360pF @ 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262-3
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ661-1E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 2SJ661-1E-FT

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