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Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9

Name: R6025FNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025FNZ1C9
Price: 5.088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (660 reviews)

Número de pieza de MFG: R6025FNZ1C9

Cantidad disponible: 25610 Piezas

Precio de referencia: USD 5.088

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: R6025FNZ1C9.pdf

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R6025FNZ1C9 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	R6025FNZ1C9
Número de parte futuro	FT-R6025FNZ1C9
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
R6025FNZ1C9 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6025FNZ1C9 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	R6025FNZ1C9-FT

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