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ON Semiconductor NVATS5A112PLZT4G

Name: NVATS5A112PLZT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVATS5A112PLZT4G
Price: 0.357648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (752 reviews)

Número de pieza de MFG: NVATS5A112PLZT4G

Cantidad disponible: 24690 Piezas

Precio de referencia: USD 0.357648

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVATS5A112PLZT4G.pdf

NVATS5A112PLZT4G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NVATS5A112PLZT4G
Número de parte futuro	FT-NVATS5A112PLZT4G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVATS5A112PLZT4G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	27A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1450pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	ATPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS5A112PLZT4G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVATS5A112PLZT4G-FT

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