casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVATS5A112PLZT4G
Número de pieza del fabricante | NVATS5A112PLZT4G |
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Número de parte futuro | FT-NVATS5A112PLZT4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVATS5A112PLZT4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1450pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 48W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ATPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVATS5A112PLZT4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVATS5A112PLZT4G-FT |
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Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
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5CGXFC4C6U19I7N
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